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電阻式隨機存取記憶體(RRAM)

RRAM為一種利用不同電阻狀態來紀錄資料(0或1)之新型資料儲存元件,其被視為最有可能取代現行非揮發性記憶體的技術之一。目前 RRAM 之電阻轉換層大多利用真空製程,但其設備昂貴、材料利用率低。因此利用濕式製程,搭配低溫乾燥與燒結,可製作出低成本、高均勻性之電阻轉換層薄膜,並獲得良好電阻轉換特性。

單一位元(Single Bit)之 RRAM 為 1T1R 架構,其可變電阻為紅色圓圈部分,通常結構為:上電極-可變電阻層-下電極之三明治結構。

利用溶膠-凝膠法(Sol-gel)製備之氧化鋅(ZnO)、氧化銅(CuO)和銦鎵鋅氧(IGZO)等材料與水熱法製備的二氧化鈦(TiO2)四種材料之 I-V 電性結果:​ (a)IGZO、(b)ZnO、(c)CuO、(d)TiO2

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